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2023-06-20 10:35:57
热蒸发镀膜工艺分类
蒸发源是蒸发装置的关键部件,大多数金属材料都要求在1000~2000℃的高温下蒸发。因此,必须将蒸发材料加热到很高的蒸发温度。最常用的加热方式有:电阻法和电子束法。下面对两种加热方式的蒸发源进行分别讨论。 1. 电阻蒸发源。 采用钽、钼、钨等高熔点金属,做成适当形状...
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2023-06-21 10:40:38
离子辅助沉积工艺介绍
离子束辅助沉积(Ion Assisted Deposition,IAD)是在镀膜过程中将常规的电子束蒸发技术与离子体电弧技术相结合,它是目前镀制优质光学薄膜的主要方法之一。离子辅助镀膜技术是改善薄膜特性的重要手段,由源提供的高能离子与薄膜沉积分子碰撞后,将动能传递给薄膜分子...
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2023-06-22 10:42:54
霍尔离子源
霍尔离子源的工作原理: 阴极灯丝两端通电,发热后溢出电子。电子在电场作用下向阳极运动。磁钢是永久磁铁,沿中心向上发散形成锥形磁场。在阳极表面,磁力线与电场线近似垂直交叉。因因此,向阳极前进的电子,受洛仑磁力作用(霍尔源电势的起源),遵循左手定则,会在电磁场中做螺旋运动,与工...
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2023-06-27 10:53:35
考夫曼离子源
考夫曼离子源的工作原理如图2-23所示。一般由放电室、离子束引出栅以及中和灯丝三部分组成。 放电室内阴极由钨丝制成,阴极受热溢出电子。阳极与阴极之间有电场,电场会加速电子。与进入放电室中的工作气体发生碰撞,使其电离,形成等离子体。 屏栅上加正电压,屏蔽放电室内电...
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2023-06-28 11:09:41
射频离子源
射频离子源的工作原理图如图2-25所示。工作气体通过一个专门设计的气体绝缘器进人石英放电室,以1356MHz的射频功率通过电感合进入放电室离化工作气体,形成等离子体。等离子体中的正离子,在通过三层栅网时,先后经历加速和减速两个过程,被成功聚焦加速,形成正离子束。 中和器...
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2023-06-29 10:22:33
APS离子源
APS离子源的内部如图2-27左图所示。离子源在工作过程中,石墨加热器首先给阴极(LaB6)加热,电子会从阴极发射出来,并向阳极运动。磁场线圈通电后产生磁场。电子加速运动穿过磁场,磁场在垂直于电子运动方向上施加洛伦兹力,电子绕着磁感线螺旋向上运动,大大增加了电子与Ar原子碰...
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2023-07-04 10:08:41
影响热蒸发镀膜质量的工艺参数
薄膜的性质和结构主要决定于薄膜的成核与生长过程,实际上受许多淀积参数的影响,如淀积速率、粒子速度与角分布、粒子性质、衬底温度及真空度等。因此,在气相沉积技术中,为了监控薄膜的性质与生长过程,必须对淀积参数进行有效的测量与监控。在所有沉积技术中,淀积速率和膜厚是最重要的薄膜淀...
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2023-07-05 10:14:36
膜厚的分类
所谓薄膜是指在基板的垂直方向上所堆积的 1~10的原子层或分子层。在此方向上,薄膜具有微观结构。 厚度是指两个完全平整的平行平面之间的距离,是一个可观测到实体的尺寸。因此,这个概念是一个几何概念。理想的薄膜厚度是指基片表面和薄膜表面之间的距离。由于薄膜仅在厚度方向是微观...